Módulo de memória Samsung 8 GB sem buffer CL15 SoDimm Single Rank OEM M471A1K43BB0-CPB PC4-17000 DDR4-2133 MHz não ECC 260 pinos 1,2 V -

---------------------------------------------------------------------- 【Compatibilidade de tensão】 Ao usar aparelhos elétricos, observe que eles são projetados para especificações de voltagem japonesas (90-110V), portanto, se você usá-los com uma voltagem diferente, isso pode causar um mau funcionamento.

【Tipo de plugue】 Nossos produtos usam tipos de plugues japoneses (Tipo A ou B). Use um adaptador de conversão, se necessário.

【Nota importante sobre transformadores e adaptadores】 Um transformador ajusta a voltagem para corresponder aos requisitos do seu dispositivo. Um adaptador de conversão apenas altera o formato do plugue e não ajusta a voltagem. Usar apenas um adaptador de conversão sem um transformador pode resultar em danos ao produto.

【Responsabilidade】 Não nos responsabilizamos por mau funcionamento ou danos causados por uso indevido, como operar o produto sem transformador.

Por favor, confirme esses detalhes antes de fazer seu pedido. ---------------------------------------------------------------------- Fabricante: Samsung | Número da peça: M471A1K43BB0-CPB | Caixa: CL15. Tipo de memória: SODIMM | Capacidade: 8 GB | Pinos: 260 pinos | Classificação: Classificação 1. Tipo de ônibus: PC-17000 | Correção de erros: Não ECC | Relógio de memória: 266MHz Tempo de ciclo: 0,93 ns | Taxa de transferência de dados: 2133Mhz | Voltage: 1.2. O módulo de memória vem apenas na embalagem OEM - sem caixa de varejo. Samsung M471A1K43BB0 8 GB 1Rx8 DDR4 SO-DIMM PC4-17000 2133 MHz 260 pinos não ECC CL15 1,2 V Módulo de memória para laptop M471A1K43BB0-CPB. Modelo: Número da peça M471A1K43BB0: Número de peça compatível M471A1K43BB0-CPB: Capacidade de memória PC4-2133P-SA0-10: Tipo de memória de 8 GB: Pinos DDR4 SDRAM: Velocidade de rotação de 260 pinos: Tipo de barramento 2133MHz: Classificação PC4-17000: solteiro (1Rx8) Latência CAS. ência:Correção de erro CL15 (ECC): Tensão não ECC: Fator de forma de 1,2 V: Tipo SO-DIMM: Memória do Caderno